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이온 초점빔 주사전자현미경 시스템 (FIB-SEM)(Focused Ion Beam Scanning Electron Microscope System)
신청가능
물리화학분석장비
천안캠퍼스
- 분석연구원
- 한선아 / 041-521-9539
- 설치장소
- 천안 6공학관 102호
- 모델명
- LYRA3 GMH
- 제조사
- TESCAN
- 제조국
- 체코
분석료
* 담당자가 여러 장비를 운영하므로 반드시 전화상담 및 일정 확인 후 기기 예약하시기 바랍니다.
(실제 예약과 온라인 상 예약현황이 다를 수 있고, 사전상담없이 잘못 선택된 기기 의뢰는 반려 처리됩니다.)
* 문의사항 : somber@kongju.ac.kr
* 예약 후 불참하시거나, 당일 취소하시는 경우 예약시간 청구되오니 시간 엄수해주시기 바랍니다.
1. Etching, Deposition
- 교내 : 100,000원/시간(SEM측정 별도)
- 교외 : 200,000원/시간(SEM측정 별도)
2. TEM Sample Preparation
[ 시료당 3시간기준, 초과 시 50,000원/시간 추가]
- 교내 : 250,000원/시료
- 교외 : 450,000원/시료
(실제 예약과 온라인 상 예약현황이 다를 수 있고, 사전상담없이 잘못 선택된 기기 의뢰는 반려 처리됩니다.)
* 문의사항 : somber@kongju.ac.kr
* 예약 후 불참하시거나, 당일 취소하시는 경우 예약시간 청구되오니 시간 엄수해주시기 바랍니다.
1. Etching, Deposition
- 교내 : 100,000원/시간(SEM측정 별도)
- 교외 : 200,000원/시간(SEM측정 별도)
2. TEM Sample Preparation
[ 시료당 3시간기준, 초과 시 50,000원/시간 추가]
- 교내 : 250,000원/시료
- 교외 : 450,000원/시료
원리 및 특징
- 가속화된 전자빔을 시료 표면에 주사하였을 때 발생되는 2차 전자와 후방산란전자를 수집, 영상화시켜 미세영역 관찰 및 물질 조성 확인하는 전자현미경 기능을 기본적으로 장착
- 시료 표면에 FIB(Focused Ion Beam; Ga Ion Source)을 주사하여 미세 영역을 etching, milling 할 수 있고 cross section 면에 대한 SEM image를 관찰 할 수 있는 Gun을 장착한 시스템
- 추가적으로 TEM 관찰을 위한 매우 얇은 단면(lamella) 시료 제작을 위한 전처리용으로도 활용 가능
- 시료 표면에 FIB(Focused Ion Beam; Ga Ion Source)을 주사하여 미세 영역을 etching, milling 할 수 있고 cross section 면에 대한 SEM image를 관찰 할 수 있는 Gun을 장착한 시스템
- 추가적으로 TEM 관찰을 위한 매우 얇은 단면(lamella) 시료 제작을 위한 전처리용으로도 활용 가능
응용분야
- 금속 및 세라믹의 파단면 형태, 반도체 증착 두께 측정
- 고분자 표면 형상, 건조된 생물조직 형태 관찰
- 미세가공 샘플의 구조 관찰 및 평가
- Etching, Milling, Polishing 하면서 cross section 시료 관찰 (가능 시료 제한 있음.)
- TEM lamella 시료 제작 (가능 시료 제한 있음.)
- 고분자 표면 형상, 건조된 생물조직 형태 관찰
- 미세가공 샘플의 구조 관찰 및 평가
- Etching, Milling, Polishing 하면서 cross section 시료 관찰 (가능 시료 제한 있음.)
- TEM lamella 시료 제작 (가능 시료 제한 있음.)
규격
- 제작사: TESCAN
- Model : LYRA3 GMH
※ FE-SEM
- Resolution : 1.2nm(SE at 30kV), 2.0nm(BSE at 1kV)
- Magnification : 3 ~ 1,000,000
- Electron gun : High Brightness Schottky Emitter
- Accelerating voltage : 0.2 ~ 30kV
- GIS : 5 port (Pt, W, SiOx, H2O, XeF2)
※ FIB Ion Optics
- Resolution : <2.5nm(at 30kV)
- Ga Liquid Metal Ion Source
- Probe current : 1pA to 50nA
※ EDS: EDAX사
- Resolution : 126eV (LN2 free SDD type)
- Model : LYRA3 GMH
※ FE-SEM
- Resolution : 1.2nm(SE at 30kV), 2.0nm(BSE at 1kV)
- Magnification : 3 ~ 1,000,000
- Electron gun : High Brightness Schottky Emitter
- Accelerating voltage : 0.2 ~ 30kV
- GIS : 5 port (Pt, W, SiOx, H2O, XeF2)
※ FIB Ion Optics
- Resolution : <2.5nm(at 30kV)
- Ga Liquid Metal Ion Source
- Probe current : 1pA to 50nA
※ EDS: EDAX사
- Resolution : 126eV (LN2 free SDD type)